可控硅的作用 , 单向可控硅和双向可控硅的作用

电感线圈电容可控硅的作用

你的这个提法有些问题，不是利用谐振关断可控硅。而是可控硅有这样的特性：就是在可控硅受控制端触发导通后，即使控制信号消除了可控硅仍将保持在导通状态。但是如果在可控硅两端所加的电压是交流信号的话，那么在该信号归零的瞬间（相当于此时可控硅两端信号消失）可控硅就会关断了。这也可能就是你所说的所谓“利用谐振关断可控硅的意思吧！
可控硅在实际的使用中就是利用交流电的规零特性进行关断的！

MFC可控硅模块的四大作用是哪几个?

可控硅整流桥混合模块ThyristorDiode Module
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符号参数测试条件
最大I T(A V)通态平均电流180°正弦半波,50HZ 单面散热,T c =85℃125250A I T(RMS)方均根电流125
A V DRM V RRM 断态重复峰值电压反向重复峰值电压V DRM &V RRM tp=10ms
V D s M &V RsM =V DRM &V RRM +200V
1800V I DRM I RRM 断态重复峰值电流反向重复峰值电流V DM =V DRM V RM =V RRM
12530mA I TSM 通态不重复浪涌电流10ms 底宽,正弦半波1258.50KA
I 2t 浪涌电流平均时间积V R =0.6V RRM
125361103A 2S
V TO 门槛电压0.80V R T 斜率电阻125
0.85
m ΩV TM 通态峰值电压I TM =750A 25 1.50
1.60V dvdt 断态电压临界上升率V DM =67%V DRM
125800Vμs didt 通态电流临界上升率I TM =750A 门极触发电流幅值IGM=1.5A ,门极电流上升时间tr ≤0.5μs 125
100
0.2V R th(j-c)热阻抗(结至壳)180°正弦半波,单面散热0.120℃W R th(c-h)热阻抗(结至散)180°正弦半波,单面散热0.04
℃W V iso
attribute data :
■芯片与底板电气绝缘,2500V 交流绝缘■采用德国产玻璃钝化芯片焊接,优良的温度特性和功率循环能力■体积小,重量轻
typical application :
■加热控制器■交直流电机控制■各种整流电源■交流开关
I T(A V)250A
V DRM V RRM 600~1800V I TSM 8.5KA I 2T 361103A 2
模块典型电路电联结形式
(右图)
散热形式:风冷型模块外型图
matters needing attention:
1、模块实际负载电流大于5A时务必要加装散热器,需提供良好的通风条件。
2、模块管芯工作结温:二极管和可控硅为-40℃∽150℃;工作环境温度高于40℃时,应优化散热通风条件。
3、模块工作后会发热,在设备未断电及模块未完全冷却降温之前,严禁用手触摸模块的任何部位。

可控硅在低压电路中的用途

可控硅分半控和全控，半控的能开不能关，全控的通过门极控制开关
一般用来整流、逆变、斩波、变频器等
具体的原理看看电力电子技术的课本

单极管,三极管,可控硅的作用分别是什么

三极管的工作原理
三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β（β=ΔICΔIB, Δ表示变化量。），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。
三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫 建立偏置 ，否则会放大失真。
在三极管的集电极与电源之间接一个电阻，可将电流放大转换成电压放大：当基极电压UB升高时，IB变大，IC也变大，IC 在集电极电阻RC的压降也越大，所以三极管集电极电压UC会降低，且UB越高，UC就越低，ΔUC=ΔUB。仅供参考，请参考有关书籍。
可控硅也称作晶闸管，它是由PNPN四层半导体构成的元件，有三个电极，阳极A，阴极K和控制极G 。
可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，并且不像继电器那样控制时有火花产生。可控硅动作快、寿命长、可靠性好。在调速、调光、调压、调温以及其他各种控制电路中都有它的身影。
可控硅分为单向的和双向的，符号也不同。单向可控硅有三个PN结，由最外层的P极和N极引出两个电极，分别称为阳极和阴极，由中间的P极引出一个控制极。
单向可控硅有其独特的特性：当阳极接反向电压，或者阳极接正向电压但控制极不加电压时，它都不导通，而阳极和控制极同时接正向电压时，它就会变成导通状态。一旦导通，控制电压便失去了对它的控制作用，不论有没有控制电压，也不论控制电压的极性如何，将一直处于导通状态。要想关断，只有把阳极电压降低到某一临界值或者反向。
双向可控硅的引脚多数是按T1、T2、G的顺序从左至右排列（电极引脚向下，面对有字符的一面时）。加在控制极G上的触发脉冲的大小或时间改变时，就能改变其导通电流的大小。
与单向可控硅的区别是，双向可控硅G极上触发脉冲的极性改变时，其导通方向就随着极性的变化而改变，从 而能够控制交流电负载。而单向可控硅经触发后只能从阳极向阴极单方向导通，所以可控硅有单双向之分。
电子制作中常用可控硅，单向的有MCR－100等，双向的有TLC336.